삼성전자(대표 윤종용)가 플래시메모리에 이어 D램에서도 세계 최초로 90 나노 미세공정을 도입했다. 삼성전자는 이달부터 300㎜ 라인에서 90나노 공정을 적용해 D램을 양산한다고 지난 8일 밝혔다.

　플래시메모리와 시스템 LSI, CPU 분야의 경우 삼성은 물론 인텔과 대만 파운드리업체들이 90나노 공정을 도입했지만 D램에는 이번이 처음이다. 삼성이 90나노 공정으로 양산하는 제품은 512Mb DDR 400㎒와 DDR 333㎒다.

　삼성전자는 △삼성의 독자적인 3차원 트랜지스터 제작 기술인 ‘RCAT(R....