삼성전자가 기존 플래시메모리보다 데이터 기록과 삭제를 100만배 이상 더 많이 할 수 있는 차세대 메모리 반도체 기술을 개발했다.

　삼성전자 종합기술원은 차세대 메모리로 주목받는 ‘저항메모리반도체(RRAM:Resistive RAM)’의 내구성과 처리속도를 크게 향상시킨 기술 개발에 성공했다고 12일 밝혔다.

　이 기술을 적용하면 통상 100만번가량 데이터 기록과 삭제가 가능한 기존 플래시메모리보다 처리 횟수를 100만배 늘린 1조번까지 반복할 수 있다.

　삼성종기원은 RRAM의 저항....