지난 5일 삼성전자가 46나노 1Gb DDR2 D램을 세계 최초 개발한 데 이어 이번 하이닉스도 44나노 1Gb DDR3 D램을 세계 최초로 개발, 국내 반도체 양대 기업이 D램 공정에서 동종 업계 최고의 나노 공정 기술 우위를 잇따라 입증했다.

40나노급 공정은 엘피다·마이크론·난야 등 대부분의 D램 경쟁 업체들이 2010년 이후 개발을 목표로 하는 차세대 D램 제조 기술로 국내 기업들이 이보다 1년 이상 앞당겨 40나노 D램 양산 기술을 대외에 과시한 것이다.

업계에선 전 세계 반도체시장 구조조....