차세대 메모리 시장을 선점하기 위한 하이닉스반도체(대표 김종갑 www.hynix.co.kr)의 협업 전략에 가속도가 붙었다.

하이닉스는 미국 그란디스와 STT램(Spin-Transfer Torque RAM) 기술에 대한 라이선스 및 공동개발 계약을 체결했다고 2일 밝혔다.

하이닉스는 이에 앞서 지난 1월 삼성전자와 테라비트급 차세대 비휘발성 메모리소자(STT-M램·수직자기형 비휘발성 메모리) 원천기술의 개발을 공동개발하기로 했다. 지난해 8월과 10월 미국 오보닉스, 이노베이티브실리콘(ISI)과 각각 P램과 Z....