반도체 소자 분리기술 중 하나인 트렌치 소자 분리(STI) 공정 관련 기술 개발이 활발한 것으로 나타났다.

　23일 특허청에 따르면 지난 2001년부터 2005년 6월까지 4년 6개월간 국내에 출원된 반도체 소자 분리기술 관련 특허는 총 2007건이며, 이 중 STI 공정이 전체의 90%를 차지했다.

　반도체 소자 분리기술에는 반도체 기판상에 산화막을 선택적으로 성장시켜 소자 분리막을 형성시키는 로코스 공정과 반도체 기판에 트렌치를 형성한 후 내부를 절연막으로 매립해 소자분리막을 형....